存),是英特尔时隔数十年再度推出的自研内存产品。该技术核心优势集中在超高密度、超大带宽、超低功耗三大特性。 相比传统内存,ZAM功耗可降低40%至50%,架构设计大幅简化,量产难度更低,单颗芯片最高容量可达512GB。 技术层面,ZAM采用特殊Z角互连架构,将多颗DRAM存储芯片紧密堆叠,再通过专属互连
nbsp; [KBS 청주]
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发布时间:00:06:22